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IRL6372PBF相關型號

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    SCR模塊 Phse Cntrl Thyristrs 300A 1600V

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熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產品描述

  • IRL6372PBF

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 包裝管件
  • 系列HEXFET?
  • 零件狀態(tài)Digi-Key 停產
  • FET 類型2 N-通道（雙）
  • FET 功能邏輯電平門
  • 漏源電壓（Vdss）30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）8.1A
  • 不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）17.9 毫歐 @ 8.1A，4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1.1V @ 10μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）11nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1020pF @ 25V
  • 功率 - 最大值2W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應商器件封裝8-SO

其它信息

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