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熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • BSM50GX120DN2

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：IGBT 模塊
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

優(yōu)勢價格，BSM50GX120DN2的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。

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詳細(xì)參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
  • RoHS:是
  • 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:3-Phase
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
  • 集電極—射極飽和電壓:2.5 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流:78 A
  • 柵極—射極漏泄電流:200 nA
  • Pd-功率耗散:400 W
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • 封裝:Tray
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
  • 產(chǎn)品類型:IGBT Modules
  • 工廠包裝數(shù)量:10
  • 子類別:IGBTs
  • 零件號別名:BSM50GX120DN2BOSA1 SP000100372

其它信息

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