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圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • BGA855N6E6327XTSA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：射頻放大器 Low Noise Amplifier
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

優(yōu)勢價格，BGA855N6E6327XTSA1的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:射頻放大器
  • RoHS:是
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TSNP-6
  • 類型:LNA
  • 技術(shù):SiGe
  • 工作頻率:1164 MHz to 1300 MHz
  • P1dB - 壓縮點:- 14 dBm
  • 增益:17.6 dB
  • 工作電源電壓:1.1 V to 3.3 V
  • NF—噪聲系數(shù):0.6 dB
  • 測試頻率:1214 MHz
  • OIP3 - 三階截點:1 dBm
  • 工作電源電流:4.4 mA
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 最大工作溫度:+ 85 C
  • 系列:BGA855N6
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 商標:Infineon Technologies
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 輸入返回損失:11 dB
  • 隔離分貝:22 dB
  • Pd-功率耗散:60 mW
  • 產(chǎn)品類型:RF Amplifier
  • 工廠包裝數(shù)量:12000
  • 子類別:Wireless & RF Integrated Circuits
  • 零件號別名:BGA855N6 SP002337750

其它信息

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