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DF150R12RT4相關型號
熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產品描述

  • DF150R12RT4

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：IGBT 模塊 IGBT MODULES 1200V 150A
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產品種類:IGBT 模塊
  • 產品:IGBT Silicon Modules
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
  • 集電極—射極飽和電壓:2.15 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A
  • 柵極—射極漏泄電流:100 nA
  • Pd-功率耗散:790 W
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • 封裝:Tray
  • 商標:Infineon Technologies
  • 安裝風格:Chassis Mount
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
  • 產品類型:IGBT Modules
  • 工廠包裝數(shù)量:10
  • 子類別:IGBTs
  • 零件號別名:DF150R12RT4HOSA1 SP000711868

其它信息

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