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FS75R12KE3G相關(guān)型號

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熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • FS75R12KE3G

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：IGBT 模塊 1200V 75A 3-PHASE
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
  • RoHS:否
  • 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Hex
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
  • 集電極—射極飽和電壓:1.7 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流:105 A
  • 柵極—射極漏泄電流:400 nA
  • Pd-功率耗散:355 W
  • 封裝 / 箱體:EconoPACK 3B
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 最大工作溫度:+ 125 C
  • 封裝:Tray
  • 高度:17 mm
  • 長度:122 mm
  • 寬度:62 mm
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 安裝風(fēng)格:Chassis Mount
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
  • 產(chǎn)品類型:IGBT Modules
  • 工廠包裝數(shù)量:10
  • 子類別:IGBTs
  • 零件號別名:FS75R12KE3GBOSA1 SP000100418
  • 單位重量:300 g

其它信息

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