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熱銷型號

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  • IPN80R750P7ATMA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET LOW POWER_NEW
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:SOT-223-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:7 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:640 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
  • Qg-柵極電荷:17 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:7.2 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:Reel
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 商標:Infineon Technologies
  • 下降時間:20 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:8 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:3000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:40 ns
  • 典型接通延遲時間:8 ns
  • 零件號別名:IPN80R750P7 SP001665002

其它信息

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