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IPB014N06N相關(guān)型號
熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • IPB014N06N

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細(xì)參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TO-263-7
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:180 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2.1 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:124 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:214 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標(biāo)名:OptiMOS
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:4.4 mm
  • 長度:10 mm
  • 系列:OptiMOS 5
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:9.25 mm
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:120 S
  • 下降時間:14 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:18 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:1000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:47 ns
  • 典型接通延遲時間:22 ns
  • 零件號別名:IPB014N06NATMA1 IPB14N6NXT SP000917408
  • 單位重量:1.600 g

其它信息

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