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IPI600N25N3 G相關(guān)型號
熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • IPI600N25N3 G

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET N-Ch 250V 25A I2PAK-3 OptiMOS 3
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-262-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:250 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:25 A
  • Rds On-漏源導通電阻:60 mOhms
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:22 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:136 W
  • 配置:Single
  • 商標名:OptiMOS
  • 封裝:Tube
  • 高度:9.45 mm
  • 長度:10.2 mm
  • 系列:OptiMOS 3
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:4.5 mm
  • 商標:Infineon Technologies
  • 下降時間:8 nS
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:10 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:500
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:22 nS
  • 零件號別名:IPI600N25N3GAKSA1 IPI6N25N3GXK SP000714316
  • 單位重量:2.387 g

其它信息

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