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IPT60R102G7XTMA1相關型號
熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產品描述

  • IPT60R102G7XTMA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET HIGH POWER NEW
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數量：2000+

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詳細參數

  • 制造商:Infineon
  • 產品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術:Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:HSOF-8
  • 通道數量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:23 A
  • Rds On-漏源導通電阻:88 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:34 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:141 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:Reel
  • 系列:CoolMOS G7
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 商標:Infineon Technologies
  • 下降時間:4 ns
  • 產品類型:MOSFET
  • 上升時間:5 ns
  • 工廠包裝數量:2000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:60 ns
  • 典型接通延遲時間:18 ns
  • 零件號別名:IPT60R102G7 SP001579318

其它信息

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