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IPW60R190P6相關(guān)型號
熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • IPW60R190P6

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-247-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:20.2 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:171 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:37 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:151 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標名:CoolMOS
  • 封裝:Tube
  • 高度:21.1 mm
  • 長度:16.13 mm
  • 系列:CoolMOS P6
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:5.21 mm
  • 商標:Infineon Technologies
  • 下降時間:7 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:8 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:240
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:45 ns
  • 典型接通延遲時間:15 ns
  • 零件號別名:IPW60R190P6FKSA1 SP001017090
  • 單位重量:38 g

其它信息

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