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IPA65R660CFDXKSA2相關(guān)型號
熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • IPA65R660CFDXKSA2

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細(xì)參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-220FP-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:6 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:660 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:22 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:27.8 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標(biāo)名:CoolMOS
  • 封裝:Tube
  • 系列:CFD2
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 下降時(shí)間:10 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:8 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:500
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:40 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:9 ns
  • 零件號別名:IPA65R660CFD

其它信息

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