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IPD80N04S3-06相關型號
熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • IPD80N04S3-06

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

優(yōu)勢價格，IPD80N04S3-06的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術:Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TO-252-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:80 A
  • Rds On-漏源導通電阻:6 mOhms
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:100 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 資格:AEC-Q101
  • 商標名:OptiMOS
  • 封裝:Reel
  • 高度:2.3 mm
  • 長度:6.5 mm
  • 系列:OptiMOS-T
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:6.22 mm
  • 商標:Infineon Technologies
  • 下降時間:10 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:10 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:2500
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:20 ns
  • 典型接通延遲時間:15 ns
  • 零件號別名:IPD80N04S306ATMA1 IPD8N4S36XT SP000261220
  • 單位重量:4 g

其它信息

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