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IRFR3707ZTRPBF相關(guān)型號
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圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • IRFR3707ZTRPBF

  • 制造商：Infineon / IR
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細(xì)參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TO-252-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:56 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9.5 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2.35 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:9.6 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:50 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:2.3 mm
  • 長度:6.5 mm
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 類型:HEXFET Power MOSFET
  • 寬度:6.22 mm
  • 商標(biāo):Infineon / IR
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:71 S
  • 下降時間:3.3 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:11 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:2000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:12 ns
  • 典型接通延遲時間:8 ns
  • 零件號別名:SP001564908
  • 單位重量:4 g

其它信息

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