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圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • IRGR3B60KD2TRP

  • 制造商：Infineon / IR
  • 批號：19+
  • 描述：IGBT 晶體管 IGBT DISCRETES
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
  • RoHS:是
  • 技術:Si
  • 封裝 / 箱體:TO-252AA-3
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 配置:Single
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
  • 集電極—射極飽和電壓:1.9 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流:7.8 A
  • Pd-功率耗散:52 W
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • 系列:RC
  • 封裝:Reel
  • 高度:2.39 mm
  • 長度:6.73 mm
  • 寬度:6.22 mm
  • 商標:Infineon / IR
  • 柵極—射極漏泄電流:100 nA
  • 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors
  • 工廠包裝數(shù)量:2000
  • 子類別:IGBTs
  • 商標名:TRENCHSTOP
  • 零件號別名:SP001534036
  • 單位重量:350 mg

其它信息

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