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圖片僅供參考，請(qǐng)參考產(chǎn)品描述

  • IPB60R120P7ATMA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號(hào)：19+
  • 描述：MOSFET N-CH TO263-3
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫(kù)存數(shù)量：2000+

優(yōu)勢(shì)價(jià)格，IPB60R120P7ATMA1的國(guó)內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國(guó)外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。

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詳細(xì)參數(shù)

  • 包裝Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 系列CoolMOS? P7
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類(lèi)型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）26A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）120 毫歐 @ 8.2A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）4V @ 410μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）36nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）1544pF @ 400V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）95W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝D2PAK（TO-263AB）
  • 封裝/外殼TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB

其它信息

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