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IPW80R280P7XKSA1相關(guān)型號(hào)

  • IRAC1167-D3

    子卡和OEM板 Daughterboard for IR1167, IR11662, or IR11672 and DirectFET MOSFETs

  • IRAC1167-D1

    子卡和OEM板 Daughterboard for IR1167, IR11662, or IR11672 and TO-220 MOSFETs

  • IRAC11688-TO220

    子卡和OEM板 Daughterboard for IR11688 for TO-220 MOSFETs

  • IRL7472L1TRPbF

    MOSFET 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl

  • IRF100B201

    MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

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  • IRF40H210

    MOSFET TRENCH_MOSFETS

  • IRL40B212

    MOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl

熱銷型號(hào)

圖片僅供參考，請(qǐng)參考產(chǎn)品描述

  • IPW80R280P7XKSA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號(hào)：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 800V 17A TO247
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細(xì)參數(shù)

  • 包裝管件
  • 系列CoolMOS?
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）17A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）280 毫歐 @ 7.2A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 360μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）36nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）1200pF @ 500V
  • FET 功能超級(jí)結(jié)
  • 功率耗散（最大值）101W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝PG-TO247-3-41
  • 封裝/外殼TO-247-3

其它信息

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