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BSZ060NE2LSATMA1相關(guān)型號
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圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • BSZ060NE2LSATMA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細(xì)參數(shù)

  • 包裝Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 系列OptiMOS?
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）12A（Ta），40A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）6 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）9.1nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）670pF @ 12V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）2.1W（Ta），26W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝PG-TSDSON-8-FL
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN

其它信息

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