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圖片僅供參考，請(qǐng)參考產(chǎn)品描述

  • IPB120N08S403ATMA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號(hào)：19+
  • 描述：MOSFET N-CH TO263-3
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫(kù)存數(shù)量：2000+

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詳細(xì)參數(shù)

  • 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
  • 系列汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，OptiMOS?
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類(lèi)型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）120A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）2.5 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）4V @ 223μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）167nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）11550pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）278W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝PG-TO263-3-2
  • 封裝/外殼TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

其它信息

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原廠芯片長(zhǎng)期訂單優(yōu)勢(shì)貨源：隨時(shí)現(xiàn)貨+極具競(jìng)爭(zhēng)力的優(yōu)勢(shì)貨源：隨時(shí)現(xiàn)貨+極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格 是以終端使用（制造工廠、大專(zhuān)院校、研究院所）為主要客戶(hù)

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