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熱銷型號(hào)

圖片僅供參考，請(qǐng)參考產(chǎn)品描述

  • IRF6612TR1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號(hào)：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細(xì)參數(shù)

  • 包裝剪切帶（CT）
  • 系列HEXFET?
  • 零件狀態(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）24A（Ta），136A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）3.3 毫歐 @ 24A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）2.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）45nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）3970pF @ 15V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）2.8W（Ta），89W（Tc）
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝DIRECTFET? MX
  • 封裝/外殼DirectFET? 等容 MX

其它信息

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