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IPB048N06LGATMA1相關(guān)型號
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圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • IPB048N06LGATMA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細(xì)參數(shù)

  • 包裝Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 系列OptiMOS?
  • 零件狀態(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）100A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）4.4 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2V @ 270μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）225nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）7600pF @ 30V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）300W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝D2PAK（TO-263AB）
  • 封裝/外殼TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

其它信息

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