1.Vishay宣布重組計劃，關(guān)閉三家制造工廠并裁員
據(jù)快科技消息，美國分立半導(dǎo)體和無源元件制造商Vishay Intertechnology（威世科技）宣布了重組計劃，包括關(guān)閉三家制造工廠和裁員約800人。根據(jù)Vishay的官方聲明，被關(guān)閉的工廠包括位于中國上海的二極管封裝工廠，以及位于德國菲希特爾貝格和美國威斯康星州密爾沃基的兩家電阻器工廠。
這些工廠的關(guān)閉預(yù)計2026年底完成，生產(chǎn)轉(zhuǎn)移將于2025年第四季度開始。Vishay預(yù)計，此次重組將產(chǎn)生3800萬至4200萬美元的稅前現(xiàn)金費用，主要是由于遣散費，其中大部分將在2024年第三季度發(fā)生。Vishay預(yù)計該計劃全面實施后，年度成本節(jié)省至少2300萬美元，立即節(jié)省約900萬美元，從2025年第一季度開始再節(jié)省1200萬美元。
2.美光2024財年營收251.11億美元，大幅增長超6成
存儲器原廠美光最新公布2024財年第四財季（截至8月29日）和全財年財報。
第四財季按照GAAP計算，美光營收77.5億美元，上財季為68.1億美元，去年同期為40.1億美元；毛利率35.3%，上一季度為26.9%，去年同期虧損。凈利潤8.87億美元，上一季度為3.32億美元，去年同期虧損14.3億美元。
全財年按照GAAP計算，美光營收251.1億美元，前一財年為155.4億美元；毛利率22.4 %，前一財年虧損為負；凈利潤7.78億美元，前一財年凈虧損58.33億美元。
來源：Micron
美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示，由于強勁的AI需求推動了公司數(shù)據(jù)中心DRAM和行業(yè)領(lǐng)先的HBM強勁增長，美光在第四財季實現(xiàn)了93%的收入同比增長。NAND收入記錄是由數(shù)據(jù)中心SSD銷售所引領(lǐng)，季度收入首次超過10億美元。以美光歷史上最佳的競爭定位進入2025財年，預(yù)計美光第一季度收入將創(chuàng)下歷史新高，2025財年的盈利能力將大幅提高，收入將創(chuàng)紀錄。
3.兆易創(chuàng)新公布GD32A7系列全新一代車規(guī)級MCU
兆易創(chuàng)新在25日宣布，重磅推出全新一代車規(guī)級MCU GD32A7系列。與上一代采用Arm Cortex-M4/M33的產(chǎn)品相比，GD32A7系列搭載了超高性能Arm Cortex-M7內(nèi)核，提供GD32A71x/GD32A72x/GD32A74x等多款型號供用戶選擇。
GD32A71x/GD32A72x/GD32A74x系列車規(guī)級MCU分別支持單核、雙核、單核鎖步三種選項，主頻160MHz，算力高達763 DMIPS，并配備了最高4MB片上Flash和512KB SRAM，支持雙Flash BANK，可滿足無縫OTA升級需求。芯片采用2.97-5.5V寬電壓供電，能在-40℃~+125℃的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運行，符合AEC-Q100 Grade1標(biāo)準，工作壽命15年以上，為系統(tǒng)安全穩(wěn)定運行筑牢硬件根基。
為滿足多樣化的車身、互聯(lián)和底盤應(yīng)用的需求，該系列產(chǎn)品集成了豐富的外設(shè)接口，包含6路SENT接口；8路CAN FD，12路LIN多路高速車用總線接口；以及支持AVB和TSN的1x10/100Mbps以太網(wǎng)接口；此外，還提供8路SPI、1路Quad SPI、2路I2C等接口。
4.思瑞浦推出17通道高精度電池管理產(chǎn)品TPB76016
思瑞浦3PEAK日前全新推出17通道高精度電池管理產(chǎn)品TPB76016，內(nèi)置高精度基準，工作溫度支持-40℃to+125℃，可廣泛應(yīng)用于動力電池、儲能電池、以及其他消費類電池的BMS控制板。
TPB76016具有集成電壓、電流、溫度在內(nèi)的多個保護功能，支持使用內(nèi)部溫度傳感器和多達4個外部熱敏電阻進行溫度檢測，集成可編程存儲器供使用，集成二級化學(xué)熔斷器驅(qū)動保護，內(nèi)置均衡MOS，同時支持外接均衡管均衡，以及1Mbps SPI通信接口等特性。
5.SK海力士率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E
SK海力士在26日宣布，全球率先開始量產(chǎn)12層HBM3E，實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM1產(chǎn)品中最大2的36GB容量。公司將在年內(nèi)向客戶提供此次產(chǎn)品，繼今年3月全球率先向客戶供應(yīng)8層HBM3E后，僅時隔6個月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術(shù)實力。
公司還堆疊12顆3GB DRAM芯片，實現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度，同時容量提升50%。為此，公司將單個DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技術(shù)（TSV）技術(shù)垂直堆疊。
SK海力士也解決了在將變薄的芯片堆疊更多時產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)性問題。公司將其核心技術(shù)先進MR-MUF5工藝應(yīng)用到此次產(chǎn)品中，放熱性能較前一代提升了10%，并增強了控制翹曲問題，從而確保了穩(wěn)定性和可靠性。
6.英飛凌擴展OptiMOS 6 MOSFET產(chǎn)品組合
英飛凌通過新的135 V和150 V產(chǎn)品系列，擴展了其OptiMOS 6 MOSFET產(chǎn)品組合。這些器件旨在滿足驅(qū)動器和開關(guān)模式電源（SMPS）應(yīng)用的要求，并補充最近發(fā)布的OptiMOS 6 120 V MOSFET。
與上一代（OptiMOS 5 150 V MOSFET）相比，新系列的導(dǎo)通電阻R DS（on）降低了50%，而FOM g降低了20%。憑借極低的R DS（on）、改進的開關(guān)性能和出色的EMI性能，這兩個新系列都提供了無與倫比的效率、功率密度和可靠性。更快、更柔軟的體二極管可降低高達59%的Q rr，減少過沖和振鈴。
OptiMOS 6 135 V和150 V MOSFET有各種封裝可供選擇，包括TO-220、D 2PAK 3針、D 2PAK7針、TOLL、TOLG、TOLT、SuperSO8 5x6和PQFN 3.3x3.3。
7.ST公布第四代SiC MOSFET技術(shù)平臺，面向電動車牽引逆變器
意法半導(dǎo)體（ST）日前宣布，正在推出其第四代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)在能效、功率密度和魯棒性方面帶來了新的基準。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，新技術(shù)特別針對牽引逆變器進行了優(yōu)化，牽引逆變器是電動汽車動力系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。作為對創(chuàng)新的承諾，ST計劃在2027年之前引入更先進的SiC技術(shù)創(chuàng)新。
ST已完成第四代SiC技術(shù)平臺750V級的資格認證，預(yù)計將于2025年第一季度完成1200V級的資質(zhì)認證。標(biāo)稱額定電壓為750V和1200V的設(shè)備將投入商業(yè)使用，使設(shè)計人員能夠解決從標(biāo)準交流線電壓到高壓電動汽車電池和充電器的應(yīng)用。
8.創(chuàng)意電子3納米HBM3E內(nèi)存控制器與PHY IP獲得應(yīng)用
據(jù)IT之家消息，創(chuàng)意電子GUC宣布其3nm工藝HBM3E內(nèi)存控制器與PHY IP已獲業(yè)界重要CSP云服務(wù)提供商和多家HPC解決方案供應(yīng)商采用，該ASIC預(yù)計將于今年流片，支持9.2Gbps HBM3E內(nèi)存。創(chuàng)意電子是重要ASIC設(shè)計服務(wù)廠商之一，其最大股東（持股35%）和唯一晶圓代工廠商皆是臺積電。
創(chuàng)意電子的HBM3E IP已通過臺積電N7/N6、N5/N4P、N3E/N3P制程的驗證，與所有主流HBM3廠商產(chǎn)品兼容，且在CoWoS-S及CoWoS-R封裝上都進行了流片驗證。除HBM3E以外，創(chuàng)意電子也積極與美光等HBM內(nèi)存供應(yīng)商合作，為下一代AI ASIC開發(fā)HBM4 IP。